氮化镓和碳化硅同属于一类被称为宽禁带（wide-bandgap，WBG）半导体材料。价带的最高能量占用状态与导带的最低未占用状态之间的能量差称为带隙，以表示材料的电导率。通俗来讲，带隙所代表的能量差，即让一个半导体从绝缘到导电所需的最低能量。较大的带隙意味着需要更多的能量才能将价电子激发到导带。相反，当价带和导带像金属一样重叠时，电子可以很容易地在两个带之间跳跃，这意味着该材料被归类为导体。
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什么是宽禁带半导体？
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