一维晶格拓扑界面态下的高速电光调制

电光调制器将信号从电域转换到光域,是光通信、太赫兹无线通信、微波信号处理和量子技术的核心。下一代光电调制器需要高密度集成、紧凑的尺寸、大带宽和低功耗。现有的集成马赫-泽恩德干涉仪(MZI)或微栅器件很难实现这些要求。

由于拓扑光子学的独特特性,包括紧密的光学约束、光的稳健传输和对缺陷的免疫,具有拓扑界面态的集成铌酸锂(LN)波导有助于应对下一代电光调制器的挑战。

拓扑相变已被用于演示集[……]

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光子集成电路PIC – 阵列技术

20 世纪 80 年代和 90 年代初,将半导体激光器和其他相关器件集成到单个芯片上的光学和电子集成技术取得了重大发展。

这些芯片可实现比单个器件更高水平的功能。例如,激光器和电子驱动电路已经集成,可作为简单的单片光波发射器。同样,光探测器也与基于场效应晶体管(FET)或异质结双极晶体管(HBT)的放大器电路集成在一起。这种集成器件可作为接收器的前端。

光电集成不仅是光子学领域的一项技[……]

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新型EUV光刻胶

EUV光刻胶是半导体制造工艺中使用的光敏材料,特别是在先进的光刻技术中。这些材料必须能够承受高能EUV光子,并提供高分辨率的图案化能力。开发EUV光刻胶材料的一些挑战是,它们需要对短波长高度敏感,实现高分辨率对于在3nm下生产复杂和小规模的图案至关重要,最大限度地减少线边缘粗糙度,并且除气(污染)给制造商带来了维持生产的问题。

这些创新材料通常被归类为化学放大光刻胶 (CAR)、非化学放[……]

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