HHI的45GHz带宽MZI

HHI今年ECOC有个基于半绝缘衬底,局部掏空制作PIN型半导体InP材料MZ调制器。

行波电极置于半绝缘InP上,可以降低射频损耗,从而提高带宽。

体材料铌酸锂要提高带宽也是同样的思路,降低射频损耗,才有了用薄膜铌酸锂材料替代体材料,降低光场,提高电场作用,减小了射频电极长度,降低了射频损耗,从而提高带宽。

金属置于半导体上射频损耗更大一些,置于半绝缘材料上损耗略低。在半绝缘InP衬底上局部挖空,生长InP 材料,采用容性负载,调整射频阻抗和射频行波速度。

依然是PIN调制波导,相比较NIPN波导结构,带宽略低些,这次HHI的45GHz带宽,对比一下。

因为P型半导体的光学损耗很大,在需要调制的区域才进行掺杂,其他区域则用本征InP,用来降低一些插入损耗。

行波调制的带宽主要受限于电学信号的速度(由射频折射率控制)与光学信号的速度,二者有差异,也就是有相位差。

HHI这个结构,射频折射率4.2,光学折射率3.8,如果将电压摆幅调至3Vpp,则调制器长度可降低到3mm,理论带宽能达到100GHz以上。